何光宗 熊长新 李钱陶 吴小丽
(华中光电技术研究所武汉光电国家实验室，湖北武汉430074 )

摘要采用磁控溅射技术，以碳氢气体和氧气为工作气体，在Ge 基底上制备了GeC 薄膜。研究了靶压对薄膜折射率的影响，发现在较高的靶压下制备的GeC 薄膜具有较低的折射率，而在较低的靶压下则得到了高折射率的薄膜。通过控制溅射靶压，制备了折射率在2. 5~3. 8 之间可变的GeC 薄膜。利用拉曼光谱研究了GeC 薄膜的结构。薄膜样品的硬度测试表明，较低折射率的GeC 薄膜具有较高的硬度。

关键词靶压; GeC 薄膜;磁控溅射;折射率

中图分类号0484.4+1 文献标识码A